Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
PSMN102-200Y,115
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PSMN102-200Y,115-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 21.5A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventar:
76310 Piese Noi Originale În Stoc
12830193
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
U
B
s
E
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PSMN102-200Y,115 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
102mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1568 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
113W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
LFPAK56, Power-SO8
Pachet / Carcasă
SC-100, SOT-669
Numărul de bază al produsului
PSMN102
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
PSMN102-200Y,115-DG
Fișe tehnice
PSMN102-200Y,115
Informații suplimentare
Alte nume
1727-5227-6
568-6544-2-DG
568-6544-1-DG
1727-5227-2
PSMN102-200Y T/R-DG
1727-5227-1
5202-PSMN102-200Y,115TR
PSMN102200Y115
568-6544-6-DG
PSMN102-200Y,115-DG
568-6544-6
PSMN102-200Y T/R
568-6544-2
568-6544-1
934061323115
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PSMN5R8-40YS,115
MOSFET N-CH 40V 90A LFPAK56
PSMN7R0-30MLC,115
MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33
PMV60ENEAR
MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
BUK6211-75C,118
MOSFET N-CH 75V 74A DPAK