Numărul de produs al producătorului:
PSMN102-200Y,115
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PSMN102-200Y,115-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 21.5A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventar:
76310 Piese Noi Originale În Stoc
12830193
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
UBsE
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PSMN102-200Y,115 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
102mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1568 pF @ 30 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
113W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
LFPAK56, Power-SO8
Pachet / Carcasă
SC-100, SOT-669
Numărul de bază al produsului
PSMN102
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
1727-5227-6
568-6544-2-DG
568-6544-1-DG
1727-5227-2
PSMN102-200Y T/R-DG
1727-5227-1
5202-PSMN102-200Y,115TR
PSMN102200Y115
568-6544-6-DG
PSMN102-200Y,115-DG
568-6544-6
PSMN102-200Y T/R
568-6544-2
568-6544-1
934061323115
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PSMN5R8-40YS,115
MOSFET N-CH 40V 90A LFPAK56
PSMN7R0-30MLC,115
MOSFET N-CH 30V 67A LFPAK33
PMV60ENEAR
MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
