Numărul de produs al producătorului:
PSMN012-100YS,115
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PSMN012-100YS,115-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventar:
5985 Piese Noi Originale În Stoc
12831388
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PSMN012-100YS,115 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3500 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
130W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
LFPAK56, Power-SO8
Pachet / Carcasă
SC-100, SOT-669
Numărul de bază al produsului
PSMN012
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
1727-4289-6
568-4978-6
568-4978-6-DG
568-4978-2
5202-PSMN012-100YS,115TR
568-4978-1
568-4978-2-DG
934064395115
568-4978-1-DG
1727-4289-2
PSMN012100YS115
1727-4289-1
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSS84AKW,115
MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323
PHP36N03LT,127
MOSFET N-CH 30V 43.4A TO220AB
PMZ390UN,315
MOSFET N-CH 30V 1.78A DFN1006-3