Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
PMPB13XNE,115
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PMPB13XNE,115-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 8A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6
Inventar:
22326 Piese Noi Originale În Stoc
12829418
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PMPB13XNE,115 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2195 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
DFN2020MD-6
Pachet / Carcasă
6-UDFN Exposed Pad
Numărul de bază al produsului
PMPB13
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
PMPB13XNE,115-DG
Fișe tehnice
PMPB13XNE,115
Informații suplimentare
Alte nume
1727-1365-2
568-10810-6
1727-PMPB13XNE,115DKR
PMPB13XNE,115-DG
1727-1365-1-DG
1727-1365-2-DG
1727-1365-6
1727-PMPB13XNE,115CT
5202-PMPB13XNE,115TR
568-10810-6-DG
568-10810-1
568-10810-2
1727-1365-1
568-10810-2-DG
1727-PMPB13XNE,115TR
568-10810-1-DG
1727-1365-6-DG
934066867115
2166-PMPB13XNE,115-1727
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PSMN1R0-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
BUK7108-40AIE,118
MOSFET N-CH 40V 75A SOT426
PSMN3R8-100BS,118
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
PSMN4R8-100BSEJ
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK