Numărul de produs al producătorului:
PMN280ENEAX
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PMN280ENEAX-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 1.2A 6TSOP
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 1.2A (Ta) 667mW (Ta), 7.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
3789 Piese Noi Originale În Stoc
12830956
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PMN280ENEAX Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
385mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.7V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
190 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
6-TSOP
Pachet / Carcasă
SC-74, SOT-457
Numărul de bază al produsului
PMN280
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
1727-8662-6
1727-8662-2
1727-8662-1
5202-PMN280ENEAXTR
934660499115
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PSMN3R5-80ES,127
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
PMPB24EPX
MOSFET P-CH 30V 6.4A DFN2020MD-6
PSMN3R9-25MLC,115
MOSFET N-CH 25V 70A LFPAK33
