Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
PMCXB900UEZ
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PMCXB900UEZ-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 600mA, 500mA 265mW Surface Mount DFN1010B-6
Inventar:
121822 Piese Noi Originale În Stoc
12829866
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PMCXB900UEZ Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel Complementary
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
600mA, 500mA
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
620mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
0.7nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
21.3pF @ 10V
Putere - Max
265mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-XFDFN Exposed Pad
Pachet dispozitiv furnizor
DFN1010B-6
Numărul de bază al produsului
PMCXB900
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
PMCXB900UEZ-DG
Fișe tehnice
PMCXB900UEZ
Informații suplimentare
Alte nume
1727-1469-2-DG
1727-PMCXB900UEZDKR
1727-1469-6-DG
1727-1469-1-DG
2166-PMCXB900UEZ-1727
PMCXB900UEZ-DG
1727-1469-6
5202-PMCXB900UEZTR
PMCXB900UE
568-10940-6
1727-PMCXB900UEZTR
PMCXB900UEZINACTIVE
1727-1469-2
PMCXB900UEZINACTIVE-DG
1727-1469-1
568-10940-2
568-10940-2-DG
1727-PMCXB900UEZCT
568-10940-1
934067143147
568-10940-1-DG
568-10940-6-DG
Pachet standard
5,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BUK9K12-60EX
MOSFET 2N-CH 60V 35A LFPAK56D
PMDXB600UNELZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
PHC21025,118
MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO
PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN