Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
PHN210T,118
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PHN210T,118-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 8SO
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 2W Surface Mount 8-SO
Inventar:
RFQ Online
12832008
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PHN210T,118 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
-
Serie
TrenchMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 20V
Putere - Max
2W
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Numărul de bază al produsului
PHN210
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
PHN210T,118-DG
Fișe tehnice
PHN210T,118
Informații suplimentare
Alte nume
1727-1546-2
PHN210T,118-DG
1727-1546-1
568-11062-1
568-11062-2
568-11062-6
568-11062-6-DG
PHN210T /T3-DG
1727-1546-6
568-11062-1-DG
568-11062-2-DG
PHN210T /T3
934055451118
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDS6930B
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
970
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS6930B-DG
PREȚ UNIC
0.18
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
BSO220N03MDGXUMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
15156
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSO220N03MDGXUMA1-DG
PREȚ UNIC
0.31
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRF9956TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
297
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF9956TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.43
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
BSO150N03MDGXUMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
29095
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSO150N03MDGXUMA1-DG
PREȚ UNIC
0.42
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
FDS8984
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
42685
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS8984-DG
PREȚ UNIC
0.22
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
BSL308PEH6327XTSA1
MOSFET 2P-CH 30V 2A TSOP6-6
NX3008NBKV,115
MOSFET 2N-CH 30V 400MA SOT666
BUK7K5R1-30E,115
MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D