Numărul de produs al producătorului:
PH3120L,115
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PH3120L,115-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 100A LFPAK56
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 100A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventar:
12830882
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PH3120L,115 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
-
Serie
TrenchMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.65mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
48.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4457 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
62.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
LFPAK56, Power-SO8
Pachet / Carcasă
SC-100, SOT-669
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
568-2178-6
568-2178-1
568-2178-2
1727-3052-1
1727-3052-2
934057822115
1727-3052-6
568-2178-2-DG
NEXNEXPH3120L,115
PH3120L T/R
568-2178-6-DG
568-2178-1-DG
2156-PH3120L115
Pachet standard
1,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PSMN3R3-80ES,127
MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
BUK6Y25-40PX
MOSFET P-CH 40V 38A LFPAK56
BUK662R5-30C,118
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK