Numărul de produs al producătorului:
PEMH17,115
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
PEMH17,115-DG
Descriere:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT666
Descriere detaliată:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Inventar:
12830502
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
PEMH17,115 Specificații tehnice
Categorie
Bipolar (BJT), Arhive de Tranzistori Bipolari, Pre-Biasate
Producător
Nexperia
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip tranzistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Curent - Colector (Ic) (Max)
100mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50V
Rezistor - Bază (R1)
47kOhms
Rezistor - Baza emițătorului (R2)
22kOhms
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 5V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
1µA
Frecvență - Tranziție
-
Putere - Max
300mW
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-563, SOT-666
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-666
Numărul de bază al produsului
PEMH17
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
934058931115
PEMH17 T/R
PEMH17 T/R-DG
Pachet standard
4,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
RN1909FE(TE85L,F)
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
3948
DiGi NUMĂR DE PARTE
RN1909FE(TE85L,F)-DG
PREȚ UNIC
0.04
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
RN1904FE,LF(CT
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
3425
DiGi NUMĂR DE PARTE
RN1904FE,LF(CT-DG
PREȚ UNIC
0.02
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PUMB13/ZLX
TRANS PREBIAS
PUMH2,115
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
PEMB30,115
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666