Numărul de produs al producătorului:
BUK7C08-55AITE,118
Product Overview
Producător:
Nexperia USA Inc.
DiGi Electronics Cod de parte:
BUK7C08-55AITE,118-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 272W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Inventar:
12830319
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
BUK7C08-55AITE,118 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Nexperia
Ambalare
-
Serie
TrenchMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
55 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4200 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Current Sensing
Disiparea puterii (max)
272W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Clasă
Automotive
Calificare
AEC-Q101
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D2PAK-7
Pachet / Carcasă
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
BUK7C08-55AITE /T3-DG
BUK7C08-55AITE /T3
934057948118
Pachet standard
800
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IPB180N06S4H1ATMA2
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
6672
DiGi NUMĂR DE PARTE
IPB180N06S4H1ATMA2-DG
PREȚ UNIC
1.78
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
BUK9212-55B,118
MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
AUIRF7648M2TR
MOSFET N-CH 60V 14A DIRECTFET
PSMNR70-30YLHX
MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56