Numărul de produs al producătorului:
JANTXV2N6784
Product Overview
Producător:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
JANTXV2N6784-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 2.25A TO205AF
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 2.25A (Tc) 800mW (Ta), 15W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
Inventar:
12924914
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
JANTXV2N6784 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.25A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
800mW (Ta), 15W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Military
Calificare
MIL-PRF-19500/556
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-205AF (TO-39)
Pachet / Carcasă
TO-205AF Metal Can
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
JANTXV2N6784-DG
JANTXV2N6784-MIL
150-JANTXV2N6784
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
FQD2N60CTM-WS
MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
BSS138W
MOSFET N-CH 50V 210MA SC70
CPH3351-TL-W
MOSFET P-CH 60V 1.8A 3CPH
