Numărul de produs al producătorului:
JANTXV2N6770
Product Overview
Producător:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
JANTXV2N6770-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 12A TO204AE
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-204AE (TO-3)
Inventar:
12929080
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
JANTXV2N6770 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
4W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Clasă
Military
Calificare
MIL-PRF-19500/543
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-204AE (TO-3)
Pachet / Carcasă
TO-204AE
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
JANTXV2N6770-MIL
JANTXV2N6770-DG
150-JANTXV2N6770
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
R6030KNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
NVMFS5C670NLWFT3G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
NTMD4184PFR2G
MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC
