Numărul de produs al producătorului:

JANTX2N6766

Product Overview

Producător:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

JANTX2N6766-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 200V 30A TO3

Descriere detaliată:

N-Channel 200 V 30A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3

Inventar:

RFQ Online

12927441

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

JANTX2N6766 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Microsemi

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

200 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

115 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

4W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Clasă

Military

Calificare

MIL-PRF-19500/543

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-3

Pachet / Carcasă

TO-204AE

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

2N6764,66,68,70

Informații suplimentare

Alte nume

JANTX2N6766-MIL

150-JANTX2N6766

JANTX2N6766-DG

Pachet standard

1

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

RoHS non-compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

onsemi

NTD4959NH-35G

MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK

microsemi

JANTX2N6796

MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF

onsemi

FDMC612PZ

MOSFET P-CH 20V 14A 8MLP

onsemi

MCH6321-TL-W

MOSFET P-CH 20V 4A 6MCPH