Numărul de produs al producătorului:
APTC90DAM60CT1G
Product Overview
Producător:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
APTC90DAM60CT1G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Descriere detaliată:
N-Channel 900 V 59A (Tc) 462W (Tc) Chassis Mount SP1
Inventar:
13246847
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
APTC90DAM60CT1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microsemi
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
900 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
59A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 6mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
540 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13600 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
462W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SP1
Pachet / Carcasă
SP1
Informații suplimentare
Alte nume
APTC90DAM60CT1G-ND
150-APTC90DAM60CT1G
Pachet standard
100
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
APT10078BLLG
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
APT12067JLL
MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227
APT8030JVFR
MOSFET N-CH 800V 25A ISOTOP