APT80SM120S
Numărul de produs al producătorului:

APT80SM120S

Product Overview

Producător:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

APT80SM120S-DG

Descriere:

SICFET N-CH 1200V 80A D3PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 80A (Tc) 625W (Tc) Surface Mount D3Pak

Inventar:

RFQ Online
13254467
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

APT80SM120S Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
55mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
235 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
625W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D3Pak
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
APT80SM120(B,S)

Informații suplimentare

Alte nume
APT80SM120S-ND
150-APT80SM120S
Pachet standard
1

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
microsemi

JANSR2N7268U

MOSFET N-CH 100V 34A U1

microchip-technology

APT14M100S

MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK

microchip-technology

APT8065BVRG

MOSFET N-CH 800V 13A TO247

microchip-technology

APT6010LLLG

MOSFET N-CH 600V 54A TO264