Numărul de produs al producătorului:
APT5SM170B
Product Overview
Producător:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
APT5SM170B-DG
Descriere:
SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 1700 V 5A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
13263701
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
APT5SM170B Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1700 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.25Ohm @ 2.5A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
249 pF @ 1000 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
65W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Informații suplimentare
Alte nume
APT5SM170B-ND
150-APT5SM170B
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
APT60M75L2FLLG
MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX
APT28F60B
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
APT6030BVRG
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
