APT47N65BC3G
Numărul de produs al producătorului:

APT47N65BC3G

Product Overview

Producător:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

APT47N65BC3G-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 650V 47A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 47A (Tc) 417W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Inventar:

RFQ Online
13265028
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

APT47N65BC3G Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microsemi
Ambalare
-
Serie
CoolMOS™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 2.7mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
7015 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
417W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 [B]
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
APT47N65

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
APT47N65SB,SC3 Datasheet

Informații suplimentare

Alte nume
APT47N65BC3G-ND
150-APT47N65BC3G
Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
microchip-technology

APT1201R4SFLLG

MOSFET N-CH 1200V 9A D3PAK

microsemi

APT50M65B2LLG

MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX

microchip-technology

APT6010JFLL

MOSFET N-CH 600V 47A ISOTOP

microchip-technology

APT30F60J

MOSFET N-CH 600V 31A ISOTOP