APT35SM70B
Numărul de produs al producătorului:

APT35SM70B

Product Overview

Producător:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

APT35SM70B-DG

Descriere:

SICFET N-CH 700V 35A TO247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 700 V 35A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247-3

Inventar:

RFQ Online
13253326
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

APT35SM70B Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
700 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+25V, -10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1035 pF @ 700 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
176W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3

Informații suplimentare

Alte nume
APT35SM70B-ND
150-APT35SM70B
Pachet standard
1

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
microsemi

APT10M07JVR

MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

microchip-technology

APTML100U60R020T1AG

MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

microchip-technology

APT66M60B2

MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX

microchip-technology

APT20M22LVFRG

MOSFET N-CH 200V 100A TO264