Numărul de produs al producătorului:
APT25SM120S
Product Overview
Producător:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
APT25SM120S-DG
Descriere:
SICFET N-CH 1200V 25A D3
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 25A (Tc) 175W (Tc) Chassis Mount D3
Inventar:
13261334
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
APT25SM120S Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
175mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
175W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D3
Pachet / Carcasă
D-3 Module
Informații suplimentare
Alte nume
APT25SM120S-ND
150-APT25SM120S
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
APT6025SVRG
MOSFET N-CH 600V 25A D3PAK
APT20M20JLL
MOSFET N-CH 200V 104A ISOTOP
APT24F50B
MOSFET N-CH 500V 24A TO247