APT20M38BVFRG
Numărul de produs al producătorului:

APT20M38BVFRG

Product Overview

Producător:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

APT20M38BVFRG-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 200V 67A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 67A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Inventar:

RFQ Online
13256403
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

APT20M38BVFRG Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microsemi
Ambalare
-
Serie
POWER MOS V®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
67A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6120 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
370W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 [B]
Pachet / Carcasă
TO-247-3

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
High-Voltage Power Discretes and Modules

Informații suplimentare

Alte nume
APT20M38BVFRG-ND
150-APT20M38BVFRG
Pachet standard
1

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
microsemi

APT10M11JVR

MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

microsemi

APT31N60BCSG

MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3

microchip-technology

APT8015JVFR

MOSFET N-CH 800V 44A ISOTOP

microchip-technology

APT25M100J

MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP