Numărul de produs al producătorului:

APT1002RBNG

Product Overview

Producător:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

APT1002RBNG-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247AD

Descriere detaliată:

N-Channel 1000 V 8A (Tc) 240W (Tc) Through Hole TO-247AD

Inventar:

RFQ Online

13249878

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

APT1002RBNG Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Microsemi

Ambalare

-

Serie

POWER MOS IV®

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

1000 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

8A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

105 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

1800 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

240W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-247AD

Pachet / Carcasă

TO-247-3

Informații suplimentare

Alte nume

APT1002RBNG-ND

150-APT1002RBNG

Pachet standard

30

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

microsemi

APT10035B2LLG

MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX

microchip-technology

APT10090BLLG

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247

microsemi

2N6849

MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39

microchip-technology

APT50M85JVFR

MOSFET N-CH 500V 50A ISOTOP