2N6782

Numărul de produs al producătorului:

2N6782

Product Overview

Producător:

Microsemi Corporation

DiGi Electronics Cod de parte:

2N6782-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 3.5A TO39

Descriere detaliată:

N-Channel 100 V 3.5A (Tc) 800mW (Ta), 15W (Tc) Through Hole TO-39

Inventar:

RFQ Online

13253386

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

2N6782 Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Microsemi

Ambalare

-

Serie

-

Starea produsului

Obsolete

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

3.5A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 2.25A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

8.1 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±20V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

800mW (Ta), 15W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Through Hole

Pachet dispozitiv furnizor

TO-39

Pachet / Carcasă

TO-205AF Metal Can

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume

150-2N6782

2N6782-ND

Pachet standard

1

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

RoHS non-compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

microchip-technology

APT20M45BVFRG

MOSFET N-CH 200V 56A TO247

microchip-technology

APT56F50L

MOSFET N-CH 500V 56A TO264

microchip-technology

APT28M120B2

MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX

microchip-technology

APT1003RKLLG

MOSFET N-CH 1000V 4A TO220