Numărul de produs al producătorului:
2N6770
Product Overview
Producător:
Microsemi Corporation
DiGi Electronics Cod de parte:
2N6770-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 12A TO3
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
Inventar:
13258432
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
2N6770 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microsemi
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
4W (Ta), 150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-3
Pachet / Carcasă
TO-204AE
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
150-2N6770
2N6770-ND
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MSC035SMA070S
MOSFET N-CH 700V D3PAK
APT9F100S
MOSFET N-CH 1000V 9A D3PAK
APTM20UM09SG
MOSFET N-CH 200V 195A MODULE
