Numărul de produs al producătorului:
VN2210N2
Product Overview
Producător:
Microchip Technology
DiGi Electronics Cod de parte:
VN2210N2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 1.7A TO39
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 1.7A (Tj) 360mW (Tc) Through Hole TO-39
Inventar:
596 Piese Noi Originale În Stoc
12808694
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
VN2210N2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Bag
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.7A (Tj)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 10mA
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
360mW (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-39
Pachet / Carcasă
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Numărul de bază al produsului
VN2210
Fișa de date și documente
Asamblare/Origine PCN
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
2266-VN2210N2
Pachet standard
500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
RoHS non-compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7353D2
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
IXFN55N50F
MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B
CPC3902ZTR
MOSFET N-CH 250V SOT223
