Numărul de produs al producătorului:
VN10KN3-G
Product Overview
Producător:
Microchip Technology
DiGi Electronics Cod de parte:
VN10KN3-G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 310mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Inventar:
6680 Piese Noi Originale În Stoc
12808173
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
VN10KN3-G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Bag
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
310mA (Tj)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
60 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-92-3
Pachet / Carcasă
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Numărul de bază al produsului
VN10KN3
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SN7002NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
SPI16N50C3HKSA1
MOSFET N-CH 560V 16A TO262-3
VN10KN3-G-P013
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
