Numărul de produs al producătorului:
TN5325N3-G-P002
Product Overview
Producător:
Microchip Technology
DiGi Electronics Cod de parte:
TN5325N3-G-P002-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 215mA (Ta) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventar:
12807341
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TN5325N3-G-P002 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
215mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
110 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
740mW (Ta)
Temperatura
-
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-92-3
Pachet / Carcasă
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Numărul de bază al produsului
TN5325
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
2,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IPI60R280C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262-3
SIPC18N50C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
IRL2910SPBF
MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
