Numărul de produs al producătorului:
TC8020K6-G-M937
Product Overview
Producător:
Microchip Technology
DiGi Electronics Cod de parte:
TC8020K6-G-M937-DG
Descriere:
MOSFET 6N/6P-CH 200V 56VQFN
Descriere detaliată:
Mosfet Array 200V Surface Mount 56-QFN (8x8)
Inventar:
12811151
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TC8020K6-G-M937 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
6 N and 6 P-Channel
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 25V
Putere - Max
-
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
56-VFQFN Exposed Pad
Pachet dispozitiv furnizor
56-QFN (8x8)
Numărul de bază al produsului
TC8020
Fișa de date și documente
Asamblare/Origine PCN
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
3 (168 Hours)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7379PBF
MOSFET N/P-CH 30V 5.8A/4.3A 8SO
PMDPB65UP,115
MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 6HUSON
IRF7316QTRPBF
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
