Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
RD Congo
Argentina
Turcia
România
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacia
ltală
Finlanda
Bielorusia
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Muntenegru
Rusă
Belgia
Suedia
Serbia
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
Moldova
Germania
Olanda
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
Franţa
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Portugalia
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spania
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
TC6215TG-G
Product Overview
Producător:
Microchip Technology
DiGi Electronics Cod de parte:
TC6215TG-G-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 150V 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 150V Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
2786 Piese Noi Originale În Stoc
12807804
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
TC6215TG-G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
120pF @ 25V
Putere - Max
-
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
TC6215
Fișa de date și documente
Asamblare/Origine PCN
Assembly Site Addition 17/Feb/2015
Fișa de date HTML
TC6215TG-G-DG
Fișe tehnice
TC6215TG-G
Informații suplimentare
Alte nume
TC6215TG-GTR
TC6215TG-GCT
TC6215TG-GDKR
TC6215TG-G-DG
Pachet standard
3,300
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRF7342QTRPBF
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
IPG20N04S4L11AATMA1
MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
IRF7530TRPBF
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
IRFI4212H-117P
MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5