Numărul de produs al producătorului:
MSCSM170DUM23T3AG
Product Overview
Producător:
Microchip Technology
DiGi Electronics Cod de parte:
MSCSM170DUM23T3AG-DG
Descriere:
SIC 2N-CH 1700V 124A SP3F
Descriere detaliată:
Mosfet Array 1700V (1.7kV) 124A (Tc) 602W (Tc) Chassis Mount SP3F
Inventar:
12997361
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
MSCSM170DUM23T3AG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
Silicon Carbide (SiC)
Configurație
2 N-Channel (Dual) Common Source
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1700V (1.7kV)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
124A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
22.5mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
356nC @ 20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6600pF @ 1000V
Putere - Max
602W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet / Carcasă
Module
Pachet dispozitiv furnizor
SP3F
Numărul de bază al produsului
MSCSM170
Informații suplimentare
Alte nume
150-MSCSM170DUM23T3AG
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
PJS6602_S2_00001
MOSFET N/P-CH 20V 5.2A SOT23-6
NVJD5121NT1G-M06
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
PJQ5848_R2_00001
MOSFET 2N-CH 40V 8.6A/30A 8DFN
