Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
MSCSM120DUM16T3AG
Product Overview
Producător:
Microchip Technology
DiGi Electronics Cod de parte:
MSCSM120DUM16T3AG-DG
Descriere:
SIC 2N-CH 1200V 173A SP3F
Descriere detaliată:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 173A (Tc) 745W (Tc) Chassis Mount SP3F
Inventar:
RFQ Online
12974983
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
MSCSM120DUM16T3AG Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
Silicon Carbide (SiC)
Configurație
2 N-Channel (Dual) Common Source
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200V (1.2kV)
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
173A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 80A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
464nC @ 20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6040pF @ 1000V
Putere - Max
745W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet / Carcasă
Module
Pachet dispozitiv furnizor
SP3F
Numărul de bază al produsului
MSCSM120
Informații suplimentare
Alte nume
150-MSCSM120DUM16T3AG
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
AOCA33104E
MOSFET 2N-CH 12V 30A 10DFN
DI038N04PQ2-AQ
MOSFET POWERQFN 5X6-DUAL N+N 45V
MSCSM170TLM15CAG
SIC 4N-CH 1700V 179A SP6C
MSCSM170DUM15T3AG
SIC 2N-CH 1700V 181A SP3F