MSC180SMA120S
Numărul de produs al producătorului:

MSC180SMA120S

Product Overview

Producător:

Microchip Technology

DiGi Electronics Cod de parte:

MSC180SMA120S-DG

Descriere:

MOSFET SIC 1200 V 180 MOHM TO-26
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 21A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D3PAK

Inventar:

190 Piese Noi Originale În Stoc
12939525
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

MSC180SMA120S Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
225mOhm @ 8A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.26V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+23V, -10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
510 pF @ 1000 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D3Pak
Pachet / Carcasă
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numărul de bază al produsului
MSC180

Fișa de date și documente

Fișa de date HTML
Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
150-MSC180SMA120S
Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
toshiba-semiconductor-and-storage

XPN9R614MC,L1XHQ

MOSFET P-CH 40V 40A 8TSON

toshiba-semiconductor-and-storage

TK33S10N1Z,LXHQ

MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

infineon-technologies

IRF7455TRPBF-1

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

microchip-technology

MSC100SM70JCU2

SICFET N-CH 700V 124A SOT227