Numărul de produs al producătorului:
MSC180SMA120B
Product Overview
Producător:
Microchip Technology
DiGi Electronics Cod de parte:
MSC180SMA120B-DG
Descriere:
MOSFET 1200V 25A TO-247
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 21A (Tc) 147W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventar:
2 Piese Noi Originale În Stoc
13254007
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
MSC180SMA120B Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 20V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
225mOhm @ 8A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 500µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+23V, -10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
530 pF @ 1000 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
147W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
MSC180
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
691-MSC180SMA120B
MSC140SMA120B
MSC140SMA120B-ND
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
G3R160MT12J
PRODUCĂTOR
GeneSiC Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
2358
DiGi NUMĂR DE PARTE
G3R160MT12J-DG
PREȚ UNIC
6.82
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
APT39F60J
MOSFET N-CH 600V 42A ISOTOP
APT6015LVRG
MOSFET N-CH 600V 38A TO264
APT31N80JC3
MOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP
