Numărul de produs al producătorului:
APTM120DA30CT1G
Product Overview
Producător:
Microchip Technology
DiGi Electronics Cod de parte:
APTM120DA30CT1G-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
Inventar:
13265140
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
APTM120DA30CT1G Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Bulk
Serie
POWER MOS 8™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
560 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
14560 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
657W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SP1
Pachet / Carcasă
SP1
Numărul de bază al produsului
APTM120
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2N7228
MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA
2N6768T1
MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA
APT8014JLL
MOSFET N-CH 800V 42A ISOTOP
