Numărul de produs al producătorului:

APTM10SKM02G

Product Overview

Producător:

Microchip Technology

DiGi Electronics Cod de parte:

APTM10SKM02G-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 495A SP6

Descriere detaliată:

N-Channel 100 V 495A (Tc) 1250W (Tc) Chassis Mount SP6

Inventar:

RFQ Online

13261681

Cere ofertă

Cantitate
Minim 1

(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore

TRIMITE

APTM10SKM02G Specificații tehnice

Categorie

FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri

Producător

Microchip Technology

Ambalare

Bulk

Serie

-

Starea produsului

Active

Tip FET

N-Channel

Tehnologie

MOSFET (Metal Oxide)

Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)

100 V

Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C

495A (Tc)

Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds Activat (Max) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 200A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 10mA

Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs

1360 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds

40000 pF @ 25 V

Caracteristică FET

-

Disiparea puterii (max)

1250W (Tc)

Temperatura

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tip de montare

Chassis Mount

Pachet dispozitiv furnizor

SP6

Pachet / Carcasă

SP6

Numărul de bază al produsului

APTM10

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

APTM10SKM02G High-Voltage Power Discretes and Modules

Informații suplimentare

Pachet standard

1

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS

ROHS3 Compliant

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)

1 (Unlimited)

Starea REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificare DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produse Asemănătoare

APT80SM120B

SICFET N-CH 1200V 80A TO247

microchip-technology

APT22F80S

MOSFET N-CH 800V 23A D3PAK

microchip-technology

APT48M80B2

MOSFET N-CH 800V 49A T-MAX

APT47N65SCS3G

MOSFET N-CH 650V 47A TO-247