APT84F50B2
Numărul de produs al producătorului:

APT84F50B2

Product Overview

Producător:

Microchip Technology

DiGi Electronics Cod de parte:

APT84F50B2-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 500V 84A T-MAX
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 84A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Inventar:

RFQ Online
13253773
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

APT84F50B2 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Tube
Serie
POWER MOS 8™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
84A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
340 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
13500 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1135W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
T-MAX™ [B2]
Pachet / Carcasă
TO-247-3 Variant
Numărul de bază al produsului
APT84F50

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
APT84F50B2,50L

Informații suplimentare

Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
microchip-technology

APT28M120L

MOSFET N-CH 1200V 29A TO264

microsemi

APT40M75JN

MOSFET N-CH 400V 56A ISOTOP

microsemi

APTC60DAM24CT1G

MOSFET N-CH 600V 95A SP4

microchip-technology

APT8065BVFRG

MOSFET N-CH 800V 13A TO247