Numărul de produs al producătorului:
APT7M120S
Product Overview
Producător:
Microchip Technology
DiGi Electronics Cod de parte:
APT7M120S-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 8A (Tc) 335W (Tc) Surface Mount D3Pak
Inventar:
13248125
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
APT7M120S Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Bulk
Serie
POWER MOS 8™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2565 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
335W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D3Pak
Pachet / Carcasă
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numărul de bază al produsului
APT7M120
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXTT6N120
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
267
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTT6N120-DG
PREȚ UNIC
7.33
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
APT5010JVRU3
MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
APT58M80J
MOSFET N-CH 800V 60A SOT227
APT50M65B2FLLG
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
