APT40M35JVR
Numărul de produs al producătorului:

APT40M35JVR

Product Overview

Producător:

Microchip Technology

DiGi Electronics Cod de parte:

APT40M35JVR-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 400V 93A SOT227
Descriere detaliată:
N-Channel 400 V 93A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227 (ISOTOP®)

Inventar:

7 Piese Noi Originale În Stoc
12939462
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

APT40M35JVR Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Tube
Serie
POWER MOS V®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
400 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
93A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 46.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
1065 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
20160 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
700W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227 (ISOTOP®)
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
APT40

Informații suplimentare

Alte nume
150-APT40M35JVR
Pachet standard
10

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SQ2389ES-T1_BE3

MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3

vishay-siliconix

SUD19N20-90-BE3

MOSFET N-CH 200V 19A DPAK

vishay-siliconix

SQ4850EY-T1_BE3

MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC

rohm-semi

RTQ025P02HZGTR

MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6