Numărul de produs al producătorului:
APT30F50S
Product Overview
Producător:
Microchip Technology
DiGi Electronics Cod de parte:
APT30F50S-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 500V 30A D3PAK
Descriere detaliată:
N-Channel 500 V 30A (Tc) 415W (Tc) Surface Mount D3PAK
Inventar:
13256102
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
APT30F50S Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Tube
Serie
POWER MOS 8™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
190mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4525 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
415W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
D3Pak
Pachet / Carcasă
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numărul de bază al produsului
APT30F50
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IXFT30N50Q3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
30
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFT30N50Q3-DG
PREȚ UNIC
8.68
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTT36N50P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
247
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTT36N50P-DG
PREȚ UNIC
6.70
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXTT30N50L2
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
162
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXTT30N50L2-DG
PREȚ UNIC
11.13
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NVH4L070N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
APT34N80LC3G
MOSFET N-CH 800V 34A TO264
NVH4L030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
