APT19M120J
Numărul de produs al producătorului:

APT19M120J

Product Overview

Producător:

Microchip Technology

DiGi Electronics Cod de parte:

APT19M120J-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1200V 19A ISOTOP
Descriere detaliată:
N-Channel 1200 V 19A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®

Inventar:

RFQ Online
13254830
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

APT19M120J Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Tube
Serie
POWER MOS 8™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
530mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
9670 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
545W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
ISOTOP®
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
APT19M120

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
APT19M120J High-Voltage Power Discretes and Modules

Informații suplimentare

Pachet standard
10

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
microchip-technology

APT5018BFLLG

MOSFET N-CH 500V 27A TO247

microchip-technology

APT10025JVFR

MOSFET N-CH 1000V 34A ISOTOP

microsemi

APT20M22B2VRG

MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX

microchip-technology

APT12060LVFRG

MOSFET N-CH 1200V 20A TO264