Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
APT18F60B
Product Overview
Producător:
Microchip Technology
DiGi Electronics Cod de parte:
APT18F60B-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 600V 19A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 19A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Inventar:
RFQ Online
13255906
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
APT18F60B Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Tube
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
390mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3550 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
335W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 [B]
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
APT18F60
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
APT18F60B/S
High-Voltage Power Discretes and Modules
Informații suplimentare
Alte nume
APT18F60BMI
APT18F60BMI-ND
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
AOK20N60L
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
174
DiGi NUMĂR DE PARTE
AOK20N60L-DG
PREȚ UNIC
2.65
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IRFPC60LCPBF
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
653
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRFPC60LCPBF-DG
PREȚ UNIC
3.11
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFR32N80Q3
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
57
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFR32N80Q3-DG
PREȚ UNIC
25.07
TIP SUBSTITUT
Similar
NUMĂRUL PARTEI
IXFH22N60P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFH22N60P-DG
PREȚ UNIC
5.01
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
2N6764
MOSFET N-CH 100V 38A TO3
APT10078SLLG
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
NVHL075N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC
NTBG030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E