APT12M80B
Numărul de produs al producătorului:

APT12M80B

Product Overview

Producător:

Microchip Technology

DiGi Electronics Cod de parte:

APT12M80B-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 800V 13A TO247
Descriere detaliată:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Inventar:

13264945
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

APT12M80B Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Tube
Serie
POWER MOS 8™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2470 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
335W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247 [B]
Pachet / Carcasă
TO-247-3
Numărul de bază al produsului
APT12M80

Fișa de date și documente

Informații suplimentare

Pachet standard
30

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modele alternative

NUMĂRUL PARTEI
IXFH14N80P
PRODUCĂTOR
IXYS
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IXFH14N80P-DG
PREȚ UNIC
3.72
TIP SUBSTITUT
Similar
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
microsemi

APT20F50B

MOSFET N-CH 500V 20A TO247

microchip-technology

APT10050LVRG

MOSFET N-CH 1000V 21A TO264

microsemi

APT4065BNG

MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD

microchip-technology

APT1001R6BFLLG

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247