APT10M11JVRU3
Numărul de produs al producătorului:

APT10M11JVRU3

Product Overview

Producător:

Microchip Technology

DiGi Electronics Cod de parte:

APT10M11JVRU3-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 100V 142A SOT227
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 142A (Tc) 450W (Tc) Chassis Mount SOT-227

Inventar:

RFQ Online
13249614
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

APT10M11JVRU3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
142A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 71A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
300 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
8600 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
450W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
APT10M11

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
High-Voltage Power Discretes and Modules

Informații suplimentare

Alte nume
APT10M11JVRU3MI-ND
APT10M11JVRU3MI
Pachet standard
1

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
microsemi

APT130SM70J

SICFET N-CH 700V 78A SOT227

microchip-technology

APT8020B2LLG

MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX

microsemi

2N6849U

MOSFET P-CH 100V 6.5A 18ULCC

microchip-technology

APT58M50JCU2

MOSFET N-CH 500V 58A SOT227