2N2222AP
Numărul de produs al producătorului:

2N2222AP

Product Overview

Producător:

Microchip Technology

DiGi Electronics Cod de parte:

2N2222AP-DG

Descriere:

SMALL-SIGNAL BJT
Descriere detaliată:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 800 mA 500 mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)

Inventar:

RFQ Online
13000935
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

2N2222AP Specificații tehnice

Categorie
Bipolar (BJT), Transistori bipolari unici
Producător
Microchip Technology
Ambalare
Bulk
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip tranzistor
NPN
Curent - Colector (Ic) (Max)
800 mA
Tensiune - Defalcarea emițătorului colector (Max)
50 V
Saturație Vce (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Curent - Întrerupere colector (Max)
50nA
Câștig de curent continuu (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Putere - Max
500 mW
Frecvență - Tranziție
-
Temperatura
-65°C ~ 200°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet / Carcasă
TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Pachet dispozitiv furnizor
TO-18 (TO-206AA)

Informații suplimentare

Alte nume
150-2N2222AP
Pachet standard
1

Clasificare de Mediu și Export

Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
microchip-technology

2N3780

POWER BJT

diodes

DXTP07060BFGQ-7

PWR MID PERF TRANSISTOR POWERDI3

microchip-technology

2N6193QFN/TR

POWER BJT

microchip-technology

JANKCCD2N3501

RH SMALL-SIGNAL BJT