Numărul de produs al producătorului:
VMO580-02F
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
VMO580-02F-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 580A Y3-LI
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 580A (Tc) Chassis Mount Y3-Li
Inventar:
12819382
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
VMO580-02F Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
HiPerFET™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
580A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 430A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2750 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
Y3-Li
Pachet / Carcasă
Y3-Li
Numărul de bază al produsului
VMO580
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
VMO580-02F-NDR
Q1221985A
VMO58002F
Pachet standard
2
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
Not Applicable
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFP130N15X3
MOSFET N-CH 150V 130A TO220AB
IXTT12N150HV
MOSFET N-CH 1500V 12A TO268
IXTY4N65X2
MOSFET N-CH 650V 4A TO252