Numărul de produs al producătorului:
VMO1600-02P
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
VMO1600-02P-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 1900A (Tc) Chassis Mount Y3-Li
Inventar:
12819476
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
VMO1600-02P Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
PolarHT™
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1900A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 1600A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2900 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
-
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
Y3-Li
Pachet / Carcasă
Y3-Li
Numărul de bază al produsului
VMO
Informații suplimentare
Alte nume
VMO160002P
Pachet standard
2
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFH6N120
MOSFET N-CH 1200V 6A TO247AD
IXKP10N60C5M
MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220ABFP
IXTH24N50L
MOSFET N-CH 500V 24A TO247
