Numărul de produs al producătorului:
MMIX1F180N25T
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
MMIX1F180N25T-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD
Descriere detaliată:
N-Channel 250 V 132A (Tc) 570W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Inventar:
20 Piese Noi Originale În Stoc
12822065
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
MMIX1F180N25T Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
250 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
132A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
364 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
23800 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
570W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
24-SMPD
Pachet / Carcasă
24-PowerSMD, 21 Leads
Numărul de bază al produsului
MMIX1F180
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
-MMIX1F180N25T
Pachet standard
20
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTQ180N055T
MOSFET N-CH 55V 180A TO3P
IXTQ96N20P
MOSFET N-CH 200V 96A TO3P
IXTQ88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
