Numărul de produs al producătorului:
IXUN350N10
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXUN350N10-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 350A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Inventar:
12820705
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXUN350N10 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
-
Serie
-
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
350A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 175A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 3mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
640 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
27000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
830W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Chassis Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-227B
Pachet / Carcasă
SOT-227-4, miniBLOC
Numărul de bază al produsului
IXUN350
Informații suplimentare
Alte nume
Q3672970
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXTX110N20L2
MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247-3
IXFH15N80
MOSFET N-CH 800V 15A TO247AD
IXFH14N85X
MOSFET N-CH 850V 14A TO247-3
