IXTY1R4N100P
Numărul de produs al producătorului:

IXTY1R4N100P

Product Overview

Producător:

IXYS

DiGi Electronics Cod de parte:

IXTY1R4N100P-DG

Descriere:

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 1.4A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventar:

RFQ Online
12820311
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

IXTY1R4N100P Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Polar
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
17.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
450 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
63W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IXTY1

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
IXT(A,P,Y)1R4N100P Building, Home Automation Appl Guide

Informații suplimentare

Pachet standard
70

Clasificare de Mediu și Export

Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
littelfuse

IXFN20N120P

MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

littelfuse

IXFH1799

MOSFET N-CH TO-247AD

littelfuse

IXFX120N25P

MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3

littelfuse

IXFA26N30X3

MOSFET N-CH 300V 26A TO263AA