Numărul de produs al producătorului:
IXTY08N100D2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTY08N100D2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12911195
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTY08N100D2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Depletion
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
800mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
21Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
14.6 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
325 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Depletion Mode
Disiparea puterii (max)
60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IXTY08
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
70
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLR024PBF
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
IRLD120PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
IRFU024
MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
