Numărul de produs al producătorului:
IXTY01N100D
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTY01N100D-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO252AA
Descriere detaliată:
N-Channel 1000 V 400mA (Tc) 1.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
6296 Piese Noi Originale În Stoc
12821215
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTY01N100D Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Depletion
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
1000 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
400mA (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
0V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
80Ohm @ 50mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
100 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Depletion Mode
Disiparea puterii (max)
1.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252AA
Pachet / Carcasă
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numărul de bază al produsului
IXTY01
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
238-IXTY01N100D-CRL
Q14254273
Pachet standard
70
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFB60N80P
MOSFET N-CH 800V 60A PLUS264
IXFT69N30P
MOSFET N-CH 300V 69A TO268
IXFH36N50P
MOSFET N-CH 500V 36A TO247AD