Numărul de produs al producătorului:
IXTX200N10L2
Product Overview
Producător:
IXYS
DiGi Electronics Cod de parte:
IXTX200N10L2-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 200A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventar:
168 Piese Noi Originale În Stoc
12822042
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
IXTX200N10L2 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Littelfuse
Ambalare
Tube
Serie
Linear L2™
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
540 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
23000 pF @ 25 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1040W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
PLUS247™-3
Pachet / Carcasă
TO-247-3 Variant
Numărul de bază al produsului
IXTX200
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
30
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IXFP36N30P3
MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
IXTA15P15T
MOSFET P-CH 150V 15A TO263
IXFH16N90Q
MOSFET N-CH 900V 16A TO247AD